富士通半导体
数据表
DS05-20887-1E
FL灰内存
CMOS
64 M (8 M
×
8/4 M
×
16 )位
双操作
MBM29DL640E
80/90/12
s
描述
该MBM29DL640E是64 M位, 3.0 V-仅限Flash组织成8字节的8位或每4 Mwords内存
的每个16比特。该器件采用48引脚TSOP ( I)和63球FBGA封装。本设备被设计为
编程系统与3.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除
操作。该设备还可以重新编程,在标准EPROM编程器。
该装置分为四个物理银行:银行A , B银行, C银行和银行D,它可以被认为是
为四个单独的存储器阵列,只要某些操作而言。此设备是一样的富士通的
标准3 V只有闪存与允许一个正常的无延迟读取访问权限的附加功能
从阵列的非繁忙银行而嵌入的写入(或一个程序或擦除)操作simulta-
neously走在其他银行的地方。
(续)
s
产品阵容
产品型号
订货型号
V
CC
=
3.3 V
+0.3
V
−0.3
V
V
CC
=
3.0 V
+0.6
V
−0.3
V
80
80
80
30
MBM29DL640E
90
90
90
35
12
120
120
50
马克斯。地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( I)
侧面标
48引脚塑料TSOP ( I)
63球FBGA封装胶
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-63P-M02)