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MBM29DL64DF70PBT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MBM29DL64DF70PBT
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内容描述: FLASH存储器CMOS 64米(8米乘8/4米乘16 )位 [FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 68 页 / 793 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
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富士通半导体
数据表
DS05-20905-1E
FL灰内存
CMOS
64 M (8 M
×
8/4 M
×
16 )位
双操作
MBM29DL64DF
-70
s
描述
MBM29DL64DF是64 M位, 3.0 V-仅限Flash组织成8 MB的每个8位或4米16字的记忆
每个位。该器件采用48引脚TSOP ( 1 )和48球FBGA封装。此装置被设计成
编程系统与3.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。
该设备还可以重新编程,在标准EPROM编程器。
该装置分为四个物理银行:银行A , B银行, C银行和银行D,它被认为是
四个单独的存储阵列的操作。该器件是几乎相同的富士通的标准3 V仅限于Flash
存储器,以允许正常的非延迟读取的非繁忙银行存取的额外能力
而嵌入的写入数组(一个程序或擦除)操作同时发生的
其他银行。
(续)
s
产品阵容
产品型号
电源电压V
CC
(V)
最大地址访问时间(纳秒)
最大CE访问时间(纳秒)
最大OE访问时间(纳秒)
MBM29DL64DF-70
+0.6
V
3.0 V
−0.3
V
70
70
30
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( 1 )
侧面标
48球FBGA封装胶
(FPT-48P-M19)
(BGA-48P-M13)