富士通半导体
数据表
DS05-20844-4E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8 )位
MBM29F016A
-70/-90/-12
s
特点
•单5.0 V的读,写和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
•兼容JEDEC标准的命令
引脚排列和软件,单电源闪存兼容
高级无意写保护
• 48引脚TSOP ( I) (包装说明: PFTN -正常弯曲型, PFTR ,反向弯曲型)
•最少100,000次写/擦除周期
•高性能
70 ns的最大访问时间
•扇区擦除架构
每64千字节统一的行业
扇区的任何组合可以被擦除。还支持整片擦除。
•嵌入式擦除算法™
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
•嵌入式程序™算法
在指定的地址,自动编程和校验数据
•数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
•就绪/忙输出( RY / BY )
硬件方法检测编程或擦除周期完成
•低V
CC
写禁止
≤
3.2 V
=硬件复位引脚
重置内部状态机读方式
•擦除暂停/恢复
支持读取或编程数据不被擦除扇区
•部门组保护
硬件方法禁用部门团体从写或擦除操作(一个扇区组任意组合
由4个相邻的每64千字节)部门
•临时业集团解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
嵌入式擦除™ ,嵌入式程序™和ExpressFlash ™是Advanced Micro Devices , Inc.的商标。