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    MBM29F033C-70PTN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29F033C-70PTN图片预览
    型号： MBM29F033C-70PTN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32M （ 4M ×8 ）位 [32M (4M X 8) BIT]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 46 页 / 457 K
    品牌： FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
     浏览型号MBM29F033C-70PTN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBM29F033C-70PTN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM29F033C-70PTN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM29F033C-70PTN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBM29F033C-70PTN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBM29F033C-70PTN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MBM29F033C-70PTN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MBM29F033C-70PTN的Datasheet PDF文件第9页  
    富士通半导体
    数据表
    DS05-20869-3E
    FL灰内存
    CMOS
    32M (4M
    ×
    8 ）位
    MBM29F033C
    -70/-90/-12
    s
    特点
    •单5.0 V的读，写和擦除
    最大限度地降低系统级功耗要求
    •兼容JEDEC标准的命令
    引脚排列和软件，单电源闪存兼容
    高级无意写保护
    • 40针TSOP （ I） （包后缀： PTN -正常弯曲型， PTR反转弯型）
    •最少100,000次写/擦除周期
    •高性能
    70 ns的最大访问时间
    •扇区擦除架构
    每个64K字节扇区均匀
    扇区的任何组合可以被擦除。还支持整片擦除
    •嵌入式擦除
    TM
    算法
    自动preprograms和擦除芯片或任何部门
    •嵌入式程序
    TM
    算法
    在指定的地址，自动编程和校验数据
    •数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
    •就绪/忙输出（ RY / BY ）
    硬件方法检测编程或擦除周期完成
    •低V
    CC
    写禁止
    ≤
    3.2 V
    =硬件复位引脚
    重置内部状态机读方式
    •擦除暂停/恢复
    支持读取或编程数据不被擦除扇区
    •部门组保护
    硬件方法禁用部门团体从写或擦除操作（一个扇区组任意组合
    由4个相邻64K的扇区字节）
    •临时业集团解除保护
    硬件方法临时启用部门的任意组合，从写或擦除操作
    嵌入式擦除™ ，嵌入式程序™和ExpressFlash ™是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

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