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    MBM29F040C-70PFTN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29F040C-70PFTN图片预览
    型号： MBM29F040C-70PFTN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M （ 512K ×8 ）位 [4M (512K X 8) BIT]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 40 页 / 411 K
    品牌： FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
     浏览型号MBM29F040C-70PFTN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBM29F040C-70PFTN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM29F040C-70PFTN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM29F040C-70PFTN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBM29F040C-70PFTN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBM29F040C-70PFTN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MBM29F040C-70PFTN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MBM29F040C-70PFTN的Datasheet PDF文件第9页  
    富士通半导体
    数据表
    DS05-20842-4E
    FL灰内存
    CMOS
    4M （ 512K
    ×
    8 ）位
    MBM29F040C
    -55/-70/-90
    s
    特点
    •
    •
    •
    单一5.0 V读取，编程和擦除
    最大限度地降低系统级功耗要求
    兼容JEDEC标准的命令
    使用相同的软件命令为E
    2
    PROM的
    兼容JEDEC标准的字节宽引脚
    32引脚PLCC （包装说明： PD ）
    32脚TSOP （Ⅰ） （封装后缀： PF）的
    32针TSOP （ I） （包后缀： PFTN - 普通型弯， PFTR - 反弯型）
    最少100,000次写/擦除周期
    高性能
    55 ns的最大访问时间
    扇区擦除架构
    每个64K字节等于8扇区大小
    任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
    嵌入式擦除算法™
    自动预先计划和擦除芯片或任何部门
    嵌入式程序™算法
    自动写和在指定地址的数据验证
    数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
    低V
    CC
    写禁止
    ≤
    3.2 V
    扇区保护
    硬件方法禁用从写或擦除操作部门的任何组合
    擦除挂起/恢复
    暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据
    •
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    嵌入式擦除™ ，嵌入式程序™和ExpressFlash ™是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

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