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MBM29F160BE-70PFTN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29F160BE-70PFTN图片预览
型号: MBM29F160BE-70PFTN
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内容描述: 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位 [16M (2M X 8/1M X 16) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 53 页 / 542 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
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MBM29F160TE
-55/-70/-90
/MBM29F160BE
-55/-70/-90
s
功能说明
读取模式
该MBM29F160TE / BE具有两个控制功能必须满足,以便在输出端得到的数据。
CE是功率控制和应使用一个设备的选择。 OE为输出控制和应使用
到栅极的数据到输出引脚,如果一个设备被选中。
地址访问时间(t
)等于从稳定地址延迟到有效输出数据。芯片使能
访问时间(吨
CE
)是从稳定的地址和稳定的CE到在输出引脚的有效数据的延迟。输出
允许访问的时间是从操作环境的有效数据在输出引脚的下降沿的延迟。 (假设
地址已经稳定至少吨
- t
OE
时间)。当读出的数据不改变地址
功率う后,有必要输入硬件复位或更改的CE引脚从"H" TP "L" 。
待机模式
有两种方法来实现对MBM29F160TE待机模式/ BE设备的方式。一种是通过使用两
CE与RESET引脚;其他仅通过RESET引脚。
当使用两个引脚,一个CMOS待机模式实现CE和RESET输入,无论是在V举行
CC
±0.3 V.
在这种状态下所消耗的电流小于5
µA
最大。在嵌入式算法操作,V
CC
有源电流(I
CC2
)是必需的,即使CE = “H”。该装置可以读取与标准访问时间(t
CE
)从
这些待机模式之一。
当仅使用RESET引脚,一个CMOS待机模式实现了与在V举办的RESET输入
SS
±0.3 V
(CE = “H”或“L”) 。在这种状态下所消耗的电流小于5
µA
最大。一旦RESET引脚
采取高,设备需要吨
RH
的唤醒时间前,输出是有效的读访问。
在待机模式下,输出处于高阻抗状态,独立的参考输入的。
输出禁用
如果在OE输入处于逻辑高电平(V
IH
) ,从设备输出被禁止。这将导致输出管脚
处于高阻抗状态。
自选
所述自动选择模式允许读出的从装置的二进制码,并将确定它的制造商
和类型。这样做的目的是允许编程设备到设备自动匹配要被编程
与其相应的规划算法。所述自动选择指令也可以被用来检查状态
对写保护部门。 (参见表4.1和4.2 。 )这种模式是官能在整个温度范围内
该装置。
以激活此模式中,编程设备必须迫使V
ID
( 11.5 V至12.5 V)在地址引脚上的
9
。两
标识符字节然后可从该装置的输出通过切换地址A测序
0
从V
IL
到V
IH
。所有
地址是不关心除A
0
, A
1
和A
6
(A
-1
) 。 (见表2,表3)。
的制造商,设备代码,也可以通过指令寄存器读,对于情况下,当
MBM29F160TE / BE被删除或不使用高电压对A在系统编程
9
引脚。该
命令序列示于表6中,命令定义。
字节0 (A
0
= V
IL
)代表了制造商的代码(富士通= 04H )和字节1 (A
0
= V
IH
)代表设备
识别码( MBM29F160TE = D2H和MBM29F160BE = D8H为×8模式; MBM29F160TE = 22D2H和
MBM29F160BE = 22D8H为×16模式)。这两个字节/字列于表4.1和4.2中。所有标识符
对于制造商和设备将展出奇校验与DQ
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定义为奇偶校验位。为了读取正确
执行设备代码时自动选择,A
1
必须是V
IL
。 (见表4.1和4.2 )。
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