富士通半导体
数据表
DS05-20879-2E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 ）位
MBM29F160TE/BE
-55/-70/-90
s
概述
该MBM29F160TE / BE是一个16M位， 5.0 V ，仅限于Flash组织为每个或1M字8位2M字节的内存
的每个16比特。该MBM29F160TE / BE是在一个48引脚TSOP （ I）封装。该装置被设计成
在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除
操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
标准MBM29F160TE / BE提供的55毫微秒， 70毫微秒和90毫微秒的访问时间，高速允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29F160TE / BE是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从12.0 V Flash或EPROM器件读取。
（续）
s
产品阵容
产品型号
订货型号
V
CC
= 5.0 V±5%
V
CC
= 5.0 V±10%
-55
—
55
55
30
MBM29F160TE/160BE
—
-70
70
70
30
—
-90
90
90
40
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ I）
侧面标
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
