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MBM29F160TE-90PFTN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29F160TE-90PFTN图片预览
型号: MBM29F160TE-90PFTN
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内容描述: 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位 [16M (2M X 8/1M X 16) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 53 页 / 542 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
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MBM29F160TE
-55/-70/-90
/MBM29F160BE
-55/-70/-90
s
设备总线操作
表2
手术
自动选择制造规范( 1 )
自动选择设备代码( 1 )
阅读( 3 )
待机
输出禁用
写(编程/擦除)
使扇区保护( 2 ) , ( 4 )
验证扇区保护( 2 ) , ( 4 )
临时机构unprotection的
复位(硬件) /待机
引导块写保护
表3
手术
自动选择制造规范( 1 )
自动选择设备代码( 1 )
阅读( 3 )
待机
输出禁用
写(编程/擦除)
使扇区保护( 2 ) , ( 4 )
验证扇区保护( 2 ) , ( 4 )
临时机构unprotection的
复位(硬件) /待机
引导块写保护
MBM29F160TE / BE用户总线操作(字节= V
IH
)
CE
L
L
L
H
L
L
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L
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X
X
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6
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V
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V
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9
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V
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15
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MBM29F160TE / BE用户总线操作(字节= V
IL
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7
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-1
L
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X
X
图例:
L = V
IL
,H = V
IH
,X = V
IL
或V
IH
.
=脉冲输入。见DC特性的电压等级。
注:1。制造商和设备代码,也可以通过命令寄存器写入顺序访问。看
表7中。
2.请参阅有关扇区保护的部分。
3.我们可以V
IL
如果OE为V
IL
, OE在V
IH
启动写操作。
4. V
CC
=5.0 V ±10%
9