MBM29F800TA
-55/-70/-90
/MBM29F800BA
-55/-70/-90
s
功能说明
读取模式
该MBM29F800TA / BA有哪些必须按顺序在输出端获得的数据应满足两个控制功能。
CE是功率控制和应使用一个设备的选择。 OE为输出控制和应使用
到栅极的数据到输出引脚，如果一个设备被选中。
地址访问时间（t
加
）等于从稳定地址延迟到有效输出数据。芯片使能
访问时间（吨
CE
）是从稳定的地址和稳定的CE到在输出引脚的有效数据的延迟。输出
允许访问时间，从操作环境的有效数据的下降沿延迟，输出引脚（假设
地址已经稳定至少吨
加
- t
CE
时间）。
待机模式
有两种方法来实现对MBM29F800TA / BA设备的待机模式下，一个同时使用的CE
和RESET引脚;其他仅通过RESET引脚。
当使用两个引脚，一个CMOS待机模式实现CE和RESET输入，无论是在V举行
CC
± 0.3 V.
在这种状态下所消耗的电流小于5
µA.
一个TTL待机模式实现CE和
在V保持复位引脚
IH
。在这种状态下的电流减小到大约为1mA。在嵌入式
算法运算，V
CC
有源电流（I
CC2
）是必需的，即使CE = V
IH
。该装置可以读取与标准
访问时间（吨
CE
）从任一这些待机模式。
当仅使用RESET引脚，一个CMOS待机模式实现了与在V保持复位输入
SS
± 0.3 V
（CE = “H”或“L”） 。在这种条件下被消耗的电流小于5
µA.
一个TTL待机模式实现
与RESET引脚保持在V
IL
， （CE = “H”或“L”） 。在这种状态下所需的电流被减少到大约
为1mA。一旦RESET引脚为高电平时，设备需要500纳秒的唤醒时间前，输出有效
对于读访问。
在待机模式下的输出处于高阻抗状态，独立的OE输入的。
输出禁用
以在逻辑高电平的参考输入（Ⅴ
IH
） ，从设备输出被禁止。这将导致输出管脚
是在高阻抗状态。
自选
所述自动选择模式允许读出的从装置的二进制码，并将确定它的制造商
和类型。此模式适用于使用由编程设备用于自动匹配的目的
该设备能够与其相应的规划算法来编程。此模式是官能以上的
整个温度范围内的装置。
以激活此模式中，编程设备必须迫使V
ID
（ 11.5 V至12.5 V）在地址引脚上的
9
。两
标识符字节然后可从该装置的输出通过切换地址A测序
0
从V
IL
到V
IH
。所有
地址不用管它除A
0
, A
1
, A
6
和A
-1
（见表4.1 ） 。
的制造商，设备代码，也可以通过指令寄存器读，对于情况下，当
MBM29F800TA / BA被擦除或在系统编程，无需获得高电压对A
9
引脚。该
命令序列示于表7 （参照自动选择命令部分）。
字节0 （A
0
= V
IL
）代表制造商代码（富士通= 04H ）和A
0
= V
IH
表示装置识别符
代码（ MBM29F800TA = D6H和MBM29F800BA = 58H为
×8
模式; MBM29F800TA = 22D6H和
MBM29F800BA = 2258H为
×16
模式）。这两个字节/字中给出的表4.1和4.2中。所有标识符
为制造商和设备将展出奇校验与DQ
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定义为奇偶校验位。为了读取正确
执行设备代码时自动选择，A
1
必须是V
IL
（见表4.1和4.2 ） 。
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