富士通半导体
数据表
DS05-20841-4E
FL灰内存
CMOS
8M (1M
×
8/512K
×
16 )位
MBM29F800TA
-55/-70/-90
/MBM29F800BA
-55/-70/-90
s
特点
•单5.0 V的读,写和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
•兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
•兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP ( I) (包后缀: PFTN - 普通型弯, PFTR - 反弯型)
44引脚SOP (包后缀: PF )
•最少100,000次写/擦除周期
•高性能
55 ns的最大访问时间
•扇区擦除架构
一个16K字节, 2 8K字节,1字节的32K和64K的15字节。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
•启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
•嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
•嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
•数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
•就绪/忙输出( RY / BY )
硬件方法检测编程或擦除周期完成
•低Vcc的禁止写入
≤
3.2 V
•擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作,以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据
=硬件复位引脚
重置内部状态机读方式
•扇区保护
硬件方法禁用从写或擦除操作部门的任何组合
•临时机构解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护。
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices , Inc.的商标。