富士通半导体
数据表
DS05-20863-3E
FL灰内存
CMOS
2M （ 256K
×
8 ）位
MBM29LV002TC
-
70/-90/-12
/MBM29LV002BC
-70/-90/-12
s
特点
•单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
•兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
•兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
40针TSOP （ I） （包后缀： PTN - 普通型弯， PTR - 反弯型）
40引脚SON （包后缀： PNS ）
•最低100,000编程/擦除周期
•高性能
70 ns的最大访问时间
•扇区擦除架构
一个16K字节， 2 8K字节，1 32K字节和三个64K字节
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
•启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
•嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
•嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
•数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
•就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
•自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式
•低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
•擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据
•扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
•扇区保护设置功能通过扩展行业保护命令
•临时机构解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
