富士通半导体
数据表
DS05-20855-4E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8 )位
MBM29LV016T
-80/-90/-12
/MBM29LV016B
-80/-90/-12
s
特点
•单3.0 V的读取,编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
•兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
•兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
40针TSOP ( I) (包后缀: PTN -正常弯曲型, PTR反转弯型)
•最低100,000编程/擦除周期
•高性能
80 ns最大访问时间
•扇区擦除架构
一个16K字节, 2 8K字节,1字节32K ,并在字节模式31 64K字节扇区
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
•启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
•嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
•嵌入式程序
TM
算法
在指定的地址,自动编程和校验数据
•数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
•就绪/忙输出( RY / BY )
硬件方法检测编程或擦除周期完成
•自动睡眠模式
当地址保持稳定,自动切换自己的低功耗模式
•低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
•擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作,以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
•扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
通过扩展行业保护命令•扇区保护设置功能
•临时机构解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
•根据CFI (通用闪存接口)
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices , Inc.的商标。