欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MBM29LV160TE-70 参数 Datasheet PDF下载

MBM29LV160TE-70图片预览
型号: MBM29LV160TE-70
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位 [16M (2M X 8/1M X 16) BIT]
分类和应用:
文件页数/大小: 59 页 / 617 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
 浏览型号MBM29LV160TE-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBM29LV160TE-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM29LV160TE-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM29LV160TE-70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBM29LV160TE-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBM29LV160TE-70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MBM29LV160TE-70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MBM29LV160TE-70的Datasheet PDF文件第9页  
富士通半导体
数据表
DS05-20883-2E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 )位
MBM29LV160TE/BE
-
70/90/12
s
概述
该MBM29LV160TE / BE是一个16M位, 3.0 V-仅限Flash组织为每个或1M字8位2M字节的内存
的每个16比特。该MBM29LV160TE / BE提供了48针TSOP ( I) ,48引脚南方东英和48球FBGA
包。该设备被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。 12.0
V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备也可以在重新编程
标准EPROM编程器。
标准MBM29LV160TE / BE报价为70纳秒, 90纳秒到120纳秒存取时间,让高操作
高速微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能( CE ) ,
写使能(WE )和输出使能(OE )控制。
该MBM29LV160TE / BE是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机,它控制了擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29LV160TE / BE是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序
TM *
算法,它是一个内部算法,可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的单元格边距。典型地,每个扇区可以被编程,并在大约0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
TM *
算法,它是一个内部算法,可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时,自动装置倍擦除脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和1.0秒验证。 (如果已预编程。 )
内通过福勒 - Nordhiem隧道同时扇区。该字节/字编程一个字节/字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
(续)
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
马克斯。地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29LV160TE/160BE
70
70
70
30
90
90
90
35
12
120
120
50