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MBM29LV650UE90TN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29LV650UE90TN图片预览
型号: MBM29LV650UE90TN
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内容描述: 64M ( 4M ×16 )位 [64M (4M x 16) BIT]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 57 页 / 587 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
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富士通半导体
数据表
DS05-20882-2E
FL灰内存
CMOS
64M (4M
×
16 )位
MBM29LV650UE/651UE
-90/12
s
描述
该MBM29LV650UE / 651UE是64M位, 3.0 V-仅限Flash组织为每个16位字4M内存。该
设备被设计为被编程在系统的标准系统3.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该器件还可以在标准的重新编程
EPROM编程器。
消除总线争用的装置已经单独的芯片使能(CE ),写使能(WE )和输出使能
( OE )控制。
该MBM29LV650UE / 651UE完全指令集JEDEC单电源闪存标兼容
准。命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。注册
内容作为输入到一个内部状态机,它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。
典型地,每个扇区可以被编程,并在大约0.5秒验证。
(续)
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
马克斯。地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29LV650UE/651UE
90
90
90
35
12
120
120
50
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( I)
侧面标
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)