富士通半导体
数据表
DS05-20872-1E
页模式闪存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 ）位
MBM29PL160TD
-75/-90
/MBM29PL160BD
-75/-90
s
特点
•单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
•兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
•与MASK ROM引脚
48引脚TSOP （ I） （包后缀： PFTN -正常弯曲型， PFTR反转弯型）
44引脚SOP （包后缀： PF ）
•最低100,000编程/擦除周期
•高性能
25 ns（最大值）页面访问时间（最大75ns随机存取时间）
•一个8字的页面阅读模式功能
•扇区擦除架构
一个8K字，二4K字， 1 112K字，并在字模式7 128K字部门
一个16K字节， 2 8K字节，1字节224K和256K 7字节的字节扇区模式
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
•启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
•嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
•嵌入式程序
TM
算法
在指定的地址，自动编程和校验数据
•数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
•就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
•自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式
•低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
（续）
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
