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1MB03D-120 参数 Datasheet PDF下载

1MB03D-120图片预览
型号: 1MB03D-120
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内容描述: 富士分立IGBT封装 [Fuji Discrete Package IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 195 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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反向偏置安全工作区
+ V
GE
= 1 5 V , - V
GE
<1 5 V ,T
j
< 1 2 5 ° C,R
G
> 3 4
6
80
典型短路能力
V
CC
= 8 0 0 V ,R
G
= 4 3
, T
j
= 1 2 5 ° C
80
5
[A]
[A]
C
短路电流:我
3
40
40
2
20
20
1
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
5
10
15
20
[V]
栅极电压: V
GE
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
0
25
反向恢复特性对比
正向电压与正向电流
6
T
j
= 1 2 5 ° C
5
25°C
200
I
F
= 2.5A ,T
j
= 1 2 5 ° C
- 二
/
dt
20
[纳秒]
150
15
[A]
正向电流:我
I
rr
100
10
3
2
50
t
rr
5
1
0
0
1
2
3
4
0
0
100
200
- 二
300
/
dt
400
500
0
600
正向电压: V
F
[V]
[A /微秒]
瞬态热阻
热阻: Rth的(J -C ) [℃ / W]
10
1
FWD
10
0
IGBT
10
-1
10
-4
10
-2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
脉冲宽度:P
W
[秒]
反向恢复电流:I
4
反向恢复时间:吨
F
rr
rr
[A]
短路时间:吨
集电极电流:我
SC
4
t
SC
SC
I
SC
[µs]
60
60