1MBH15D-060
600V / 15A塑模封装
特点
·小型模压封装
•低功耗
·软交换具有低开关浪涌和噪声
·高可靠性，高耐用性（ RBSOA ， SCSOA等）
·全面的阵容
IGBT模
外形图，毫米
TO-3PL
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
最大额定值和特性
绝对最大额定值（ TC = 25 ° C）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 射极voltaga
集热器
DC
Tc=25°C
当前
Tc=110°C
1ms
Tc=25°C
马克斯。功率耗散（IGBT）
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C110
ICP
P
C
P
C
T
j
T
英镑
-
等级
600
±20
37
15
132
140
75
+150
-40到+150
70
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
N·厘米
E：发射器
等效电路示意
IGBT
C：收藏家
+
马克斯。功耗（ FWD ）
工作温度
储存温度
螺杆转矩
FWD
G：门
电气特性（在Tc = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
开关
时间
开启时间
打开-O FF时间
FWD正向电压
反向恢复时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
on
t
r
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
特征
分钟。
典型值。
–
–
5.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1000
200
40
–
–
–
–
0.16
0.11
0.30
–
–
–
条件
马克斯。
1.0
20
8.5
3.0
–
–
–
1.2
0.6
1.0
0.35
–
–
–
0.35
3.0
0.3
V
GE
=0V, V
CE
=600V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=15mA
V
GE
= 15V ，我
C
=15A
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
= 300V ，我
C
=15A
V
GE
=±15V
R
G
= 160欧姆
（半桥）
V
CC
= 300V ，我
C
=15A
V
GE
=+15V
R
G
= 16欧姆
（半桥）
I
F
=15A
I
F
= 15A ，V
GE
=-10V,
V
R
= 200V ，的di / dt = 100A / μs的
V
µs
µs
mA
µA
V
V
pF
单位
µs
热阻特性
项
热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
条件
马克斯。
0.89
1.66
IGBT
FWD
° C / W
° C / W
单位
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
