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    1MBH25-120 参数 Datasheet PDF下载

    1MBH25-120图片预览
    型号： 1MBH25-120
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 富士分立IGBT封装 [Fuji Discrete Package IGBT]
    分类和应用： 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 172 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号1MBH25-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1MBH25-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1MBH25-120的Datasheet PDF文件第4页  
    富士分立IGBT封装
    n
    特点
    •
    广场RBSOA
    •
    低饱和电压
    •
    少总功率耗散
    •
    最小化内部杂散电感
    n
    外形绘图
    n
    应用
    •
    高功率开关
    •
    交流电机控制
    •
    直流电动机的控制
    •
    不间断电源
    n
    最大额定值和特性
    •
    绝对最大额定值
    ( T
    c
    =25°C
    )
    项
    符号
    集电极 - 发射极电压
    V
    CES
    门发射极电压
    V
    GES
    DC牛逼
    c
    = 25°C
    I
    C 25
    集电极电流
    DC牛逼
    c
    =100°C
    I
    C 100
    1毫秒T
    c
    = 25°C
    I
    -C脉冲
    IGBT最大。功耗
    P
    C
    工作温度
    T
    j
    储存温度
    T
    英镑
    安装螺丝扭矩
    n
    等效电路
    评级
    1200
    ±
    20
    38
    25
    114
    310
    +150
    -40
    ∼
    +150
    70
    单位
    V
    V
    A
    W
    °C
    °C
    Nm
    •
    电气特性
    项
    零栅极电压集电极电流
    栅极 - 射极电流Leackage
    栅极 - 发射极阈值电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    （在T
    j
    =25°C )
    符号
    I
    CES
    I
    GES
    V
    GE （日）
    V
    CE （ SAT ）
    C
    IES
    C
    OES
    C
    水库
    t
    ON
    t
    r
    t
    关闭
    t
    f
    t
    ON
    t
    r
    t
    关闭
    t
    f
    测试条件
    V
    GE
    =0V V
    CE
    =1200V
    V
    CE
    =0V V
    GE
    =± 20V
    V
    GE
    = 20V我
    C
    =25mA
    V
    GE
    = 15V我
    C
    =25A
    V
    GE
    =0V
    V
    CE
    =10V
    f=1MHz
    V
    CC
    =600V
    I
    C
    =25A
    V
    GE
    =±15V
    R
    G
    =82Ω
    V
    CC
    =600V
    I
    C
    =25A
    V
    GE
    =+15V
    R
    G
    =8Ω
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    1.0
    20
    8.5
    3.5
    单位
    mA
    µA
    V
    pF
    1.2
    0.6
    1.5
    0.5
    0.16
    0.11
    0.30
    0.5
    5.5
    2500
    500
    200
    开启时间
    开关时间
    打开-O FF时间
    开启时间
    打开-O FF时间
    µs
    µs
    •
    热特性
    项
    热阻
    符号
    R
    日（J -C ）
    测试条件
    IGBT
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    0.40
    单位
    ° C / W

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