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1MBH30D-060 参数 Datasheet PDF下载

1MBH30D-060图片预览
型号: 1MBH30D-060
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内容描述: 富士分立IGBT封装 [Fuji Discrete Package IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 5 页 / 275 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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富士分立IGBT封装
n
特点
广场RBSOA
低饱和电压
少总功率耗散
最小化内部杂散电感
n
外形绘图
n
应用
高功率开关
交流电机控制
直流电动机的控制
不间断电源
n
最大额定值和特性
绝对最大额定值
( T
c
=25°C
)
符号
集电极 - 发射极电压
V
CES
门发射极电压
V
GES
DC牛逼
c
= 25°C
I
C 25
集电极电流
DC牛逼
c
=100°C
I
C 100
1毫秒T
c
= 25°C
I
-C脉冲
IGBT最大。功耗
P
C
FWD最大。功耗
P
C
工作温度
T
j
储存温度
T
英镑
安装螺丝扭矩
n
等效电路
评级
600
±
20
58
30
232
220
120
+150
-40
+150
70
单位
V
V
A
W
W
°C
°C
Nm
电气特性
零栅极电压集电极电流
栅极 - 射极电流Leackage
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
(在T
j
=25°C )
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
t
ON
t
r
t
关闭
t
f
t
ON
t
r
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
测试条件
V
GE
=0V V
CE
=600V
V
CE
=0V V
GE
=± 20V
V
GE
= 20V我
C
=30mA
V
GE
= 15V我
C
=30A
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
=300V
I
C
=30A
V
GE
=±15V
R
G
=82Ω
V
CC
=300V
I
C
=30A
V
GE
=+15V
R
G
=8Ω
I
F
= 30A V
GE
=0V
I
F
=30A
,
V
GE
= -10V ,的di / dt = 100A / μs的
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
20
8.5
3.0
单位
mA
µA
V
pF
1.2
0.6
1.0
0.35
0.16
0.11
0.30
0.35
3.0
300
5.5
1900
400
100
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
二极管正向导通电压
反向恢复时间
µs
µs
V
ns
热特性
热阻
符号
R
日(J -C )
R
日(J -C )
测试条件
IGBT
二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
0.56
1.04
单位
° C / W