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1MBI2400U4D-120 参数 Datasheet PDF下载

1MBI2400U4D-120图片预览
型号: 1MBI2400U4D-120
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内容描述: IGBT模块 [IGBT MODULE]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 543 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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1MBI2400U4D-120
IGBT模块( U系列)
1200V / 2400A / 1在一个封装
特点
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
IGBT模块
应用
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械,如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值(在Tc = 25 ° C除非另有规定编)
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
IC脉冲
条件
最大额定值
1200
±20
3600
2400
7200
4800
2400
4800
14700
150
-40到+125
2500
5.75
10
2.5
单位
V
V
连续
1ms
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
A
-IC
-Ic脉冲
1ms
集电极耗散功率
Pc
1设备
结温
Tj
储存温度
TSTG
终端和铜底座之间的隔离电压( * 1 )
V
ISO
AC: 1分钟。
安装(* 2)
螺杆转矩
主端子( * 2 )
感测端子( * 2 )
W
°C
°C
VAC
N·m的
注* 1 :所有终端应连接在一起时,隔离测试将完成。
注* 2 :值得推荐值:安装: 4.25-5.75 N· M( M6 ) ,主要终端: 8-10 N·m的( M8 ) ,检测端子: 1.7-2.5 N· M( M4 )
电气特性(在TJ = 25 ° C除非另有规定编)
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
(主终端)
V
CE (SAT)
(片)
资本投资者入境计划
tr
花花公子
tf
V
F
(主终端)
V
F
(片)
TRR
R导线
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ,我
C
= 2400毫安
Tj=25°C
Tj=125°C
V
GE
= 15V
I
C
= 2400A
Tj=25°C
Tj=125°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V , F = 1MHz的
V
CC
= 600V ,我
C
= 2400A
V
GE
= ± 15V , TJ = 125°C
R
= 1Ω, R
高夫
= 0.5Ω
V
GE
= 0V
I
F
= 2400A
I
F
= 2400A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
1.0
-
-
4800
5.5
6.5
7.5
-
2.11
2.29
-
2.31
-
-
1.90
2.05
-
2.10
-
-
270
-
-
0.90
-
-
0.50
-
-
0.80
-
-
0.20
-
-
1.86
2.04
-
1.96
-
-
1.65
1.80
-
1.75
-
-
0.35
-
-
0.089
-
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.0085
-
-
0.015
-
0.004
-
单位
mA
nA
V
V
nF
µs
正向电压上
反向恢复时间
引线电阻,终端芯片
V
µs
mΩ
热阻特性
热电阻( 1设备)
接触热阻( 1设备)
符号
RTH (J -C )
RTH ( C-F )
条件
IGBT
FWD
用导热膏( * 3 )
单位
° C / W
注* 3 :这是是值代网络斯内德安装的额外的冷却科幻n,其中热复合。
1