5.热电阻特性
项
热电阻（ 1设备）
符号
RTH （J -C ）
IGBT
FWD
条件
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.16
-
-
0.24
单位
o
接触热阻
RTH （ C-F ）
随着热复合
-
0.025
-
（ 1个设备） （ * 4 ）
（* 4 ）这是一个被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值。
C / W
6.指出模块
生产的标志
2MBI150U4B-120
150A 1200V
Lot.No.
7.适用类别
制造地点（代码）
本规范适用于IGBT ，模块命名2MBI150U4B -120 。
8.储存和运输的注意事项
•模块应储存在5至35的标准温度
o
C，湿度45〜 75％。
•存储模块中与几个温度变化的环境中，以避免在缩合
模块表面。
•避免接触腐蚀性气体和灰尘。
•避免在模块上过大的外力。
•存储模块与未经处理的终端。
•切勿跌落或运输时，否则震荡的模块。
切换时间9.定义
�½�
�½�
90%
0V
L
0V
V
GE
t
r r
I
r r
90%
�½�
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V
CE
V CC
Ic
90%
R
G
V
GE
V
CE
Ic
0V
0A
t
r（下ⅰ）
t
r
t
0：N
t
Ø F F
�½�
�½�
Ic
10%
10%
V
CE
t
f
10%
10.包装和贴标签
显示屏上的包装盒
- 生产标志
- 型号名称
- 批号
- 在包装盒产品数量
MS5F6059
5
13
H04-004-03a
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
