2MBI150U4H-120
IGBT模块（ U系列）
1200V / 150A / 2在一个封装
特点
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
IGBT模块
应用
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械，如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
IC脉冲
条件
最大额定值
1200
±20
200
150
400
300
150
300
780
+150
-40到+125
2500
3.5
4.5
单位
V
V
连续
1ms
1ms
1设备
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
Pc
结温
Tj
储存温度
TSTG
终端和铜底座之间的隔离电压（ * 1 ）
V
ISO
安装（* 2）
螺杆转矩
端子（ * 2 ）
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
A
AC： 1分钟。
W
°C
°C
VAC
N·m的
注* 1 ：所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
注* 2 ：值得推荐值：安装： 2.5-3.5 N·m的（ M5或M6 ） ，端子： 3.5〜4.5 N·m的（ M6 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有规定编）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
（ teminal ）
V
CE （SAT）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
V
F
（ teminal ）
V
F
（片）
TRR
R导线
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ，我
C
= 150毫安
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
2.0
-
-
400
4.5
6.5
8.5
-
2.00
2.15
-
2.20
-
-
1.90
2.05
-
2.10
-
-
17
-
-
0.32
1.20
-
0.10
0.60
-
0.03
-
-
0.41
1.00
-
0.07
0.30
-
1.75
1.90
-
1.85
-
-
1.65
1.80
-
1.75
-
-
-
0.35
-
0.53
-
单位
mA
nA
V
V
nF
Tj=25°C
Tj=125°C
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
Tj=25°C
Tj=125°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 600V
I
C
= 150A
V
GE
= ±15V
R
G
= 4.7Ω
V
GE
= 0V
I
F
= 150A
I
F
= 150A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
µs
正向电压上
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片（ * 3）
注* 3 ：手臂中最大的内部终端电阻。
V
µs
mΩ
热阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻（ 1设备）
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
条件
IGBT
FWD
用导热膏（ * 4 ）
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.16
-
-
0.24
-
0.025
-
单位
° C / W
*注4 ：这是是值去连接斯内德安装上额外的冷却科幻n，其中热复合。
1
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
