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2MBI200U4H-170 参数 Datasheet PDF下载

2MBI200U4H-170图片预览
型号: 2MBI200U4H-170
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内容描述: IGBT模块 [IGBT MODULE]
分类和应用: 晶体晶体管双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 13 页 / 434 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 900V , VGE = ± 15V , RG = 2.2Ω , TJ = 25°C
10000
10000
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 900V , VGE = ± 15V , RG = 2.2Ω , TJ = 125°C
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
1000
花花公子
tr
tf
1000
花花公子
tr
100
100
tf
10
0
100
200
300
400
集电极电流IC [ A]
10
0
100
200
300
400
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻(典型值)。
VCC = 900V , IC = 200A , VGE = ± 15V , TJ = 25°C
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
10000
100
开关损耗与集电极电流(典型值)。
VCC = 900V , VGE = ± 15V , RG = 2.2Ω
Eoff(125°C)
75
Eon(125°C)
Err(125°C)
Eoff(25°C)
Err(25°C)
Eon(25°C)
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
1000
花花公子
tr
50
100
tf
25
10
0.1
1.0
10.0
100.0
栅极电阻: RG [ Ω ]
0
0
100
200
300
400
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻(典型值)。
VCC = 900V , IC = 200A , VGE = ± 15V , TJ = 125°C
200
反向偏压安全工作区(最大)
+ VGE = 15V , -VGE < = 15V , RG > = 2.2Ω , TJ < = 125°C
600
500
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
集电极电流IC [ A]
150
400
300
200
100
0
100
EOFF
50
ERR
0
0.1
1.0
10.0
100.0
栅极电阻: RG [ Ω ]
0
500
1000
1500
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
MS5F6136
10
13
H04-004-03a