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    2MBI75P-140 参数 Datasheet PDF下载

    2MBI75P-140图片预览
    型号： 2MBI75P-140
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： IGBT模块 [IGBT Module]
    分类和应用： 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 292 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号2MBI75P-140的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2MBI75P-140的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2MBI75P-140的Datasheet PDF文件第4页  
    2MBI75P-140
    IGBT模块P系列
    在单一包装1400V / 75A 2
    特点
    ·小型温度的关断开关损耗的依赖性
    ·易于并联
    ·宽RBSOA （方达2倍额定电流）和短期高
    电路的承受能力
    ·低损耗和软切换（降低EMI噪声）
    等效电路示意
    C1
    E2
    应用
    •通用变频器
    · AC和DC伺服驱动放大器
    ·不间断电源
    C2E1
    G1 E1
    G2 E2
    最大额定值和特性
    绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
    项
    集电极 - 发射极电压
    栅极 - 发射极电压
    集电极电流
    符号
    V
    CES
    V
    GES
    I
    C
    I
    C
    p
    -I
    C
    -I
    C
    脉冲
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    终端和铜底座之间的隔离电压* 1
    螺杆转矩
    安装*
    2
    端子*
    2
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    V
    ISO
    1设备
    连续TC = 25℃
    1ms
    Tc=80°C
    Tc=25°C
    Tc=80°C
    条件
    等级
    1400
    ±20
    100
    75
    200
    150
    75
    150
    600
    +150
    -40到+125
    2500
    3.5
    3.5
    单位
    V
    V
    A
    W
    °C
    VAC
    N·m的
    AC： 1分钟。
    *
    1 :
    所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
    *
    2 :
    推荐值： 2.5〜 3.5 N·m的（ M5 ）
    电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
    项
    零栅极电压集电极电流
    栅极 - 发射极漏电流
    符号
    I
    CES
    I
    GES
    条件
    V
    GE
    =0V, V
    CE
    =1400V
    V
    CE
    =0V, V
    GE
    =±20V
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    =75mA
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    = 75A ， TJ = 25°C
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    = 75A ， TJ = 125°C
    V
    CE
    =10V
    V
    GE
    =0V
    f=1MHz
    V
    CC
    =600V
    I
    C
    =75A
    V
    GE
    =±15V
    R
    G
    =16
    Ω
    I
    F
    = 75A ，V
    GE
    =0V
    I
    F
    =75A
    特征
    分钟。
    –
    –
    6.0
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    典型值。
    –
    –
    8.0
    2.7
    3.3
    7500
    1000
    500
    –
    –
    –
    –
    2.4
    –
    马克斯。
    1.0
    200
    9.0
    3.0
    –
    –
    –
    –
    1.20
    0.60
    1.00
    0.30
    3.3
    0.35
    µs
    单位
    mA
    nA
    V
    V
    pF
    栅极 - 发射极阈值电压
    V
    GE （日）
    集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    C
    IES
    C
    OES
    C
    水库
    t
    on
    t
    r
    t
    关闭
    t
    f
    V
    F
    t
    rr
    V
    µs
    热阻特性
    项
    热阻
    接触热阻
    符号
    RTH （J -C ）
    RTH （J -C ）
    RTH （ C-F ） *
    4
    条件
    IGBT
    二极管
    基座到散热片
    特征
    分钟。
    典型值。
    –
    –
    –
    –
    –
    0.05
    单位
    马克斯。
    0.21
    0.47
    –
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    *
    4
    ：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。

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