2SJ476-01L,S
特点
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
雪崩型
FUJI功率MOSFET
P-沟道硅功率MOSFET
FAP -III系列
T-包（ S）
外形图
T-包（ L）
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
通用功率放大器
L型
EIAJ
S型
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
最大雪崩能量* 1
最大功率耗散（TC = 25 ° C）
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-60
±25
±100
±20
325.9
50
+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
mJ
W
°C
°C
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 0.695mH ， VCC = -24V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
V
GS
=0V
I
D
=1mA
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
= -60V
V
GS
=0V
V
GS
=±20V V
DS
=0V
I
D
= -12.5A
I
D
= 12.5A V
DS
= -25V
V
DS
= -25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= -30V ř
G
=10
Ω
I
D
= -25A
V
GS
= -10V
L=100
μ
H
T
ch
=25°C
分钟。
-60
-1.0
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
GS
= -4V
V
GS
= -10V
7.5
典型值。
-1.5
-10
-0.2
10
80
45
15.0
2000
700
450
15
80
190
90
-2
160
0.9
马克斯。
-2.5
-500
-1.0
100
110
60
3000
1050
680
25
120
290
140
-3
单位
V
V
μA
mA
nA
mΩ
mΩ
S
pF
ns
-25
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
A
V
ns
μC
热特性
项
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
分钟。
典型值。
马克斯。
2.50
75
单位
° C / W
° C / W
1
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
