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2SK1278 参数 Datasheet PDF下载

2SK1278图片预览
型号: 2SK1278
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内容描述: N沟道MOS - FET的 [N-channel MOS-FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 191 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
 浏览型号2SK1278的Datasheet PDF文件第2页  
2SK1278
F- V系列
& GT ;产品特点
- 包括快恢复二极管
- 高电压
- 低驱动功率
N沟道MOS - FET的
500V
1,1Ω
10A
100W
& GT ;外形图
& GT ;应用程序
- 电机控制
- 逆变器
- 菜刀
& GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
连续反向漏电流
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D( PULS )
I
DR
V
GS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
500
10
40
10
±20
100
150
-55 ~ +150
单位
V
A
A
A
V
W
°C
°C
& GT ;等效电路
- 电气特性(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D(上)
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D(关闭)
+t
f
)
二极管正向导通电压
反向恢复时间
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
V
t
GSS
DS ( ON)
fs
国际空间站
OSS
RSS
D(上)
r
D(关闭)
f
SD
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=10mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=500V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
V
GS
=±20V
V
DS
=0V
I
D
=5A
V
GS
=10V
I
D
=5A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=300V
I
D
=10A
V
GS
=10V
R
GS
=25
I
F
=I
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
500
2,1
典型值。
3,0
10
10
0,8
8
1100
140
75
25
60
200
90
0,95
150
马克斯。
4,0
500
100
1,1
1600
210
110
40
90
300
140
1,8
200
单位
V
V
µA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
4
- 热特性
热阻
符号
R
第(章-a)的
R
TH( CH-C )
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
35
1,25
单位
° C / W
° C / W
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