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2SK1280 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK1280
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内容描述: N-沟道MOS场效应管(500V , 0.5Ohm ,18A ,150W ) [N-Channel MOS-FET(500V, 0.5Ohm, 18A, 150W)]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 202 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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2SK1280
F- V系列
& GT ;产品特点
- 包括快恢复二极管
- 高电压
- 低驱动功率
N沟道MOS - FET的
500V
0,5Ω
18A
150W
& GT ;外形图
& GT ;应用程序
- 电机控制
- 逆变器
- 菜刀
& GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
连续反向漏电流
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D( PULS )
I
DR
V
GS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
500
18
72
18
±20
150
150
-55 ~ +150
单位
V
A
A
A
V
W
°C
°C
& GT ;等效电路
- 电气特性(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D(上)
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D(关闭)
+t
f
)
二极管正向导通电压
反向恢复时间
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
V
t
GSS
DS ( ON)
fs
国际空间站
OSS
RSS
D(上)
r
D(关闭)
f
SD
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=10mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=500V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
V
GS
=±20V
V
DS
=0V
I
D
=9A
V
GS
=10V
I
D
=9A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=300V
I
D
=18A
V
GS
=10V
R
GS
=25Ω
I
F
=I
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
500
2,1
典型值。
3,0
10
10
0,35
15
2400
300
150
35
150
450
180
0,85
150
马克斯。
4,0
500
100
0,5
3600
450
220
50
220
650
270
1,6
200
单位
V
V
µA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
8
- 热特性
热阻
符号
R
第(章-a)的
R
TH( CH-C )
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
35
0,83
单位
° C / W
° C / W
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