欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK1940-01 参数 Datasheet PDF下载

2SK1940-01图片预览
型号: 2SK1940-01
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道MOS - FET的 [N-channel MOS-FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
文件页数/大小: 2 页 / 213 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
 浏览型号2SK1940-01的Datasheet PDF文件第2页  
2SK1940-01
FAP -IIA系列
& GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
雪崩证明
N沟道MOS - FET的
600V
0,75Ω
12A
125W
& GT ;外形图
& GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
& GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
=20KΩ)
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
D( PULS )
V
GS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
600
600
12
48
±30
125
150
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
V
W
°C
°C
& GT ;等效电路
- 电气特性(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D(上)
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D(关闭)
+t
f
)
雪崩能力
连续反向漏电流
脉冲反向漏电流
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
I
I
V
t
Q
GSS
DS ( ON)
fs
国际空间站
OSS
RSS
D(上)
r
D(关闭)
f
AV
DR
DRM
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=600V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±30V
V
DS
=0V
I
D
=6A
V
GS
=10V
I
D
=6A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=300V
I
D
=6A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
分钟。
600
2,5
典型值。
3,0
10
0,2
10
0,55
12
2500
220
50
30
60
140
80
马克斯。
3,5
500
1,0
100
0,75
3800
330
75
45
90
210
120
12
48
1,58
6
12
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
1,05
450
3
单位
V
V
µA
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
A
A
V
ns
µC
- 热特性
热阻
符号
R
第(章-a)的
R
TH( CH-C )
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
35
1,25
单位
° C / W
° C / W
Collmer半导体公司 - P.O.专栏702708 - 达拉斯,德克萨斯 - 75370 - 972-233-1589 - 传真972-233-0481 - http://www.collmer.com