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2SK2018-01L,S

FAP -III系列

＆ GT ;产品特点

-

-

-

-

-

-

HIGH CURRENT

低导通电阻

无二次击穿

低驱动功率

高正向跨导

雪崩证明

N沟道MOS - FET的

60V

0,1Ω

10A

20W

＆ GT ;外形图

＆ GT ;应用程序

- 电机控制

- 通用功率放大器

- DC-DC变换器

＆ GT ;最大额定值和特性

- 绝对最大额定值（T

C

=25°C),

除非另有说明

项

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

GS

=20KΩ)

连续漏极电流

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

马克斯。功耗

工作和存储温度范围

符号

V

DS

V

DGR

I

D

I

D（ PULS ）

V

GS

P

D

T

ch

T

英镑

等级

60

60

10

40

±20

20

150

-55 ~ +150

单位

V

V

A

A

V

W

°C

°C

＆ GT ;等效电路

- 电气特性（T

C

=25°C),

除非另有说明

项

漏源击穿电压

门门限电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通时间t

on

(t

on

=t

D（上）

+t

r

)

关断时间t

关闭

(t

on

=t

D（关闭）

+t

f

)

雪崩能力

连续反向漏电流

脉冲反向漏电流

二极管正向导通电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

- 热特性

项

热阻

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

R

g

C

C

C

t

t

t

t

I

I

I

V

t

Q

GSS

DS （ ON）

fs

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

r

D（关闭）

f

AV

DR

DRM

SD

rr

rr

测试条件

I

D

=1mA

V

GS

=0V

I

D

=1mA

V

DS =

V

GS

V

DS

=60V

T

ch

=25°C

V

GS

=0V

T

ch

=125°C

V

GS

=±20V

V

DS

=0V

I

D

=5A

V

GS

=4V

I

D

=5A

V

GS

=10V

I

D

=5A

V

DS

=25V

V

DS

=25V

V

GS

=0V

f=1MHz

V

CC

=30V

I

D

=5A

V

GS

=10V

R

GS

=25Ω

T

ch

=25°C

L=100µH

分钟。

60

1,0

典型值。

1,5

10

0,2

10

0,11

0,07

8

500

200

80

10

20

100

50

马克斯。

2,5

500

1,0

100

0,16

0,1

750

300

120

15

30

150

75

10

40

4

10

I

F

=2xI

DR

V

GS

= 0V牛逼

ch

=25°C

I

F

=I

DR

V

GS

=0V

- 二

F

/ DT = 100A / μs的牛逼

ch

=25°C

1,2

100

0,15

单位

V

V

µA

mA

nA

Ω

Ω

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

A

A

A

V

ns

µC

符号

R

第（章-a）的

R

TH（ CH-C ）

测试条件

通道的空气

渠道情况

分钟。

典型值。

马克斯。

6,25

单位

° C / W

° C / W

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