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    2SK2522-01MR 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2522-01MR图片预览
    型号： 2SK2522-01MR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOS - FET的 [N-channel MOS-FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 176 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号2SK2522-01MR的Datasheet PDF文件第2页  
    2SK2522-01MR
    FAP -II系列
    ＆ GT ;产品特点
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    高速开关
    低导通电阻
    无二次击穿
    低驱动功率
    高压
    V
    GS
    = ± 30V保证
    雪崩证明
    N沟道MOS - FET的
    200V
    0,18Ω
    18A
    40W
    ＆ GT ;外形图
    ＆ GT ;应用程序
    -
    -
    -
    -
    开关稳压器
    UPS
    DC- DC转换器
    通用功率放大器
    ＆ GT ;最大额定值和特性
    - 绝对最大额定值（T
    C
    =25°C),
    除非另有说明
    项
    漏源电压
    漏极 - 栅极电压（R
    GS
    =20KΩ)
    连续漏极电流
    漏电流脉冲
    栅极 - 源极电压
    马克斯。功耗
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    DS
    V
    DGR
    I
    D
    I
    D（ PULS ）
    V
    GS
    P
    D
    T
    ch
    T
    英镑
    等级
    200
    200
    18
    72
    ±30
    40
    150
    -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    A
    A
    V
    W
    °C
    °C
    ＆ GT ;等效电路
    - 电气特性（T
    C
    =25°C),
    除非另有说明
    项
    漏源击穿电压
    门门限电压
    零栅极电压漏极电流
    门源漏电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通时间t
    on
    (t
    on
    =t
    D（上）
    +t
    r
    )
    关断时间t
    关闭
    (t
    on
    =t
    D（关闭）
    +t
    f
    )
    雪崩能力
    二极管正向导通电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    R
    g
    C
    C
    C
    t
    t
    t
    t
    I
    V
    t
    Q
    GSS
    DS （ ON）
    fs
    国际空间站
    OSS
    RSS
    D（上）
    r
    D（关闭）
    f
    AV
    SD
    rr
    rr
    测试条件
    I
    D
    =1mA
    V
    GS
    =0V
    I
    D
    =1mA
    V
    DS =
    V
    GS
    V
    DS
    =200V
    T
    ch
    =25°C
    V
    GS
    =0V
    T
    ch
    =125°C
    V
    GS
    =±30V
    V
    DS
    =0V
    I
    D
    =9A
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    =9A
    V
    DS
    =25V
    V
    DS
    =25V
    V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    V
    CC
    =150V
    I
    D
    =18A
    V
    GS
    =10V
    R
    GS
    =10
    Ω
    L=100µH
    T
    ch
    =25°C
    I
    F
    =2xI
    DR
    V
    GS
    = 0V牛逼
    ch
    =25°C
    I
    F
    =I
    DR
    V
    GS
    =0V
    - 二
    F
    / DT = 100A / μs的牛逼
    ch
    =25°C
    分钟。
    200
    2,5
    典型值。
    3,0
    10
    0,2
    10
    0,15
    9,0
    1100
    220
    100
    15
    80
    60
    40
    1,5
    165
    1300
    马克斯。
    3,5
    500
    1,0
    100
    0,18
    1650
    330
    150
    30
    120
    90
    60
    2,25
    4,0
    18,0
    单位
    V
    V
    µA
    mA
    nA
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    A
    V
    ns
    µC
    - 热特性
    项
    热阻
    符号
    R
    第（章-a）的
    R
    TH（ CH-C ）
    测试条件
    通道的空气
    渠道情况
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    62,5
    3,125
    单位
    ° C / W
    ° C / W

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