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    2SK2808 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2808图片预览
    型号： 2SK2808
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOS - FET的 [N-channel MOS-FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 270 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号2SK2808的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2808的Datasheet PDF文件第3页  
    2SK2808-01MR
    FAP -IIS系列
    ＆ GT ;产品特点
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    高速开关
    低导通电阻
    无二次击穿
    低驱动功率
    高压
    V
    GS
    = ± 30V保证
    额定重复性雪崩
    N沟道MOS - FET的
    30V
    20mΩ
    ±35A
    20W
    ＆ GT ;外形图
    ＆ GT ;应用程序
    -
    -
    -
    -
    开关稳压器
    UPS
    DC- DC转换器
    通用功率放大器
    ＆ GT ;最大额定值和特性
    - 绝对最大额定值（T
    C
    =25°C),
    除非另有说明
    项
    漏源电压
    连续漏极电流
    漏电流脉冲
    栅极 - 源极电压
    马克斯。雪崩能量
    马克斯。功耗
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    DS
    I
    D
    I
    D（ PULS ）
    V
    GS
    E
    AV
    P
    D
    T
    ch
    T
    英镑
    等级
    30
    ±35
    ±140
    ±16
    129.3
    20
    150
    -55 ~ +150
    L=0.70mH,Vcc=12V
    ＆ GT ;等效电路
    单位
    V
    A
    A
    V
    mJ
    W
    °C
    °C
    - 电气特性（T
    C
    =25°C),
    除非另有说明
    项
    漏源击穿电压
    门门限电压
    零栅极电压漏极电流
    门源漏电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通时间t
    on
    (t
    on
    =t
    D（上）
    +t
    r
    )
    关断时间t
    关闭
    (t
    on
    =t
    D（关闭）
    +t
    f
    )
    雪崩能力
    二极管正向导通电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    - 热特性
    项
    热阻
    符号
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    R
    g
    C
    C
    C
    t
    t
    t
    t
    I
    V
    t
    Q
    GSS
    DS （ ON）
    fs
    国际空间站
    OSS
    RSS
    D（上）
    r
    D（关闭）
    f
    AV
    SD
    rr
    rr
    测试条件
    I
    D
    =1mA
    V
    GS
    =0V
    I
    D
    =1mA
    V
    DS =
    V
    GS
    V
    DS
    =30V
    T
    ch
    =25°C
    V
    GS
    =0V
    T
    ch
    =125°C
    V
    GS
    =±16V
    V
    DS
    =0V
    I
    D
    =17,5A
    V
    GS
    =4V
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    =17,5A
    V
    DS
    =25V
    V
    DS
    =25V
    V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    V
    CC
    =15V
    I
    D
    =35A
    V
    GS
    =10V
    R
    GS
    =10
    Ω
    T
    ch
    =25°C
    L = 100μH
    I
    F
    =2xI
    DR
    V
    GS
    = 0V牛逼
    ch
    =25°C
    I
    F
    =2xI
    DR
    V
    GS
    =0V
    - 二
    F
    / DT = 100A / μs的牛逼
    ch
    =25°C
    分钟。
    30
    1,0
    典型值。
    1,5
    10
    0,2
    10
    22
    14
    33
    1100
    550
    240
    9
    75
    15
    50
    0,98
    50
    0,08
    马克斯。
    2,0
    500
    1,0
    100
    30
    20
    1650
    830
    360
    15
    115
    23
    75
    1,71
    16
    35
    单位
    V
    V
    µA
    mA
    nA
    mΩ
    mΩ
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    A
    V
    ns
    µC
    符号
    R
    TH（ CH-C ）
    R
    第（章-a）的
    测试条件
    渠道情况
    通道的空气
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    6,25
    62,5
    单位
    ° C / W
    ° C / W

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