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2SK2870-01S 参数 Datasheet PDF下载

2SK2870-01S图片预览
型号: 2SK2870-01S
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内容描述: N沟道MOS - FET的 [N-channel MOS-FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压
文件页数/大小: 3 页 / 242 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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2SK2870-01L,S
FAP -IIS系列
& GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
额定重复性雪崩
N沟道MOS - FET的
450V
1,2Ω
±8A
50W
& GT ;外形图
& GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
& GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
Repatitive或非repatitive
马克斯。雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D( PULS )
V
GS
I
AV
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
450
±8
±32
±35
8
215.9
50
150
-55 ~ +150
L=6.19mH,Vcc=45V
& GT ;等效电路
单位
V
A
A
V
A
mJ
W
°C
°C
- 电气特性(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D(上)
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D(关闭)
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
- 热特性
热阻
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS ( ON)
fs
国际空间站
OSS
RSS
D(上)
r
D(关闭)
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=450V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±35V
V
DS
=0V
I
D
=4A
V
GS
=10V
I
D
=4A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=300V
I
D
=8A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 6,19mH
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
450
3,5
典型值。
4,0
10
0,2
10
1,0
4
540
100
45
13
40
45
25
1,10
450
3,7
马克斯。
4,5
500
1,0
100
1,2
810
150
70
20
60
70
40
1,65
120
2
8
单位
V
V
µA
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
µC
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
测试条件
渠道情况
通道的空气
分钟。
典型值。
马克斯。
2,5
125,0
单位
° C / W
° C / W