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    2SK3273-01MR 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3273-01MR图片预览
    型号： 2SK3273-01MR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOS - FET的 [N-channel MOS-FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 143 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号2SK3273-01MR的Datasheet PDF文件第2页  
    2SK3273-01MR
    沟槽栅MOSFET
    ＆ GT ;产品特点
    -
    -
    -
    -
    -
    HIGH CURRENT
    低导通电阻
    无二次击穿
    低驱动功率
    额定雪崩
    N沟道MOS - FET的
    60V
    6,5m
    Ω
    ±70A
    70W
    ＆ GT ;外形图
    ＆ GT ;应用程序
    - 电机控制
    - 通用功率放大器
    - DC-DC变换器
    ＆ GT ;最大额定值和特性
    - 绝对最大额定值（T
    C
    =25°C),
    除非另有说明
    项
    漏源电压
    连续漏极电流
    漏电流脉冲
    栅极 - 源极电压
    最大雪崩能量
    马克斯。功耗
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    DS
    I
    D
    I
    D（ PULS ）
    V
    GS
    E
    AV
    P
    D
    T
    ch
    T
    英镑
    等级
    60
    ±70
    ±280
    +30 / -20
    700.6
    70
    150
    -55 ~ +150
    * L = 0,19mH ，V
    CC
    =24V
    ＆ GT ;等效电路
    单位
    V
    A
    A
    V
    兆焦耳*
    W
    °C
    °C
    - 电气特性（T
    C
    =25°C),
    除非另有说明
    项
    漏源击穿电压
    门门限电压
    零栅极电压漏极电流
    门源漏电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通时间t
    on
    (t
    on
    =t
    D（上）
    +t
    r
    )
    关断时间t
    关闭
    (t
    on
    =t
    D（关闭）
    +t
    f
    )
    雪崩能力
    二极管正向导通电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    符号
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    R
    g
    C
    C
    C
    t
    t
    t
    t
    I
    V
    t
    Q
    GSS
    DS （ ON）
    测试条件
    I
    D
    =1mA
    V
    GS
    =0V
    I
    D
    =10mA
    V
    DS =
    V
    GS
    V
    DS
    =60V
    T
    ch
    =25°C
    V
    GS
    =0V
    T
    ch
    =125°C
    V
    GS
    =±30V
    V
    DS
    =0V
    I
    D
    =40A
    V
    GS
    =40V
    I
    D
    =40A
    V
    DS
    =10V
    V
    DS
    =25V
    V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    V
    CC
    =30V
    VGS=10V
    ID=80A
    R
    GS
    =10
    Ω
    T
    ch
    =25°C
    L = 100μH
    I
    F
    = 80A V
    GS
    = 0V牛逼
    ch
    =25°C
    I
    F
    = 50A V
    GS
    =0V
    - 二
    F
    / DT = 100A / μs的牛逼
    ch
    =25°C
    分钟。
    60
    2,5
    典型值。
    3,0
    1,0
    10,0
    10
    5,0
    50
    9000
    1250
    700
    50
    200
    150
    135
    1,0
    85
    0,25
    马克斯。
    3,5
    100,0
    500,0
    100
    6,5
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    nA
    mΩ
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    A
    V
    ns
    µC
    fs
    国际空间站
    OSS
    RSS
    D（上）
    r
    D（关闭）
    f
    AV
    SD
    rr
    rr
    25
    70
    1,5
    - 热特性
    项
    热阻
    符号
    R
    第（章-a）的
    R
    TH（ CH-C ）
    测试条件
    渠道环境
    渠道情况
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    62,5
    1,79
    单位
    ° C / W
    ° C / W

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