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    2SK3262 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3262图片预览
    型号： 2SK3262
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道硅功率MOS -FET [N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 139 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号2SK3262的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3262的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3262的Datasheet PDF文件第4页  
    2SK3262-01MR
    N沟道硅功率MOS -FET
    特点
    高速开关
    低导通电阻
    无二次breadown
    低驱动功率
    雪崩型
    富士功率MOS场效应管
    TO-220F15
    应用
    开关稳压器
    UPS （不间断电源）
    DC- DC转换器
    3.源
    2.54
    最大额定值和特性
    绝对最大额定值
    （TC = 25 ° C除非另有说明）
    项
    符号
    漏源电压
    V
    DS
    连续漏电流
    I
    D
    漏电流脉冲
    I
    D（ PULS ]
    栅源电压
    V
    GS
    最大雪崩能量
    E
    AV * 1
    马克斯。功耗TA = 25 ℃， P
    D
    TC = 25 ℃， P
    D
    工作和存储
    T
    ch
    温度范围
    T
    英镑
    等级
    200
    ±20
    ±80
    ±20
    355
    2
    45
    +150
    -55到+150
    单位
    V
    A
    A
    V
    mJ
    W
    W
    °C
    °C
    等效电路示意
    漏极（D ）
    栅极（G ）
    源极（S ）
    * 1 L = 1.6mH ， VCC = 24V
    电气特性（T
    c
    = 25 ° C除非另有规定编）
    项
    漏源击穿voltaget
    栅极阈值电压
    零栅极电压漏极电流
    栅极 - 源极漏电流
    漏源导通电阻
    转发transcondutance
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通时间t
    on
    关断时间t
    关闭
    雪崩能力
    二极管正向导通电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    td
    （上）
    t
    r
    td
    （关闭）
    t
    f
    I
    AV
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    测试条件
    I
    D
    =1mA
    V
    GS
    =0V
    I
    D
    =1mA
    V
    DS
    =V
    GS
    V
    DS
    =200V
    V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±20V V
    DS
    =0V
    I
    D
    = 10A V
    GS
    =4V
    I
    D
    = 10A V
    GS
    =10V
    I
    D
    = 10A V
    DS
    =25V
    V
    DS
    =25V
    V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    V
    CC
    = 100V我
    D
    =20A
    V
    GS
    =10V
    R
    GS
    =10
    Ω
    L = 100μH牛逼
    ch
    =25°C
    I
    F
    = 20A V
    GS
    = 0V牛逼
    ch
    =25°C
    I
    F
    = 20A V
    GS
    =0V
    -di / DT = 100A / μs的牛逼
    ch
    =25°C
    20
    0.93
    250
    2.90
    1.40
    分钟。
    200
    1.0
    Tch=25°C
    Tch=125°C
    典型值。
    1.5
    10
    0.2
    10
    110
    85
    19.0
    1700
    290
    185
    10
    45
    225
    120
    马克斯。
    2.0
    500
    0.5
    100
    150
    100
    2550
    435
    280
    15
    70
    340
    180
    单位
    V
    V
    µA
    mA
    nA
    mΩ
    S
    pF
    9.0
    ns
    A
    V
    ns
    µC
    Thermalcharacteristics
    项
    热阻
    符号
    R
    TH（ CH-C ）
    R
    第（章-a）的
    测试条件
    渠道情况
    渠道环境
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    2.78
    62.5
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    1

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