2SK3520-01MR
FUJI功率MOSFET
2SK3520-01MR
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
TO-220F
10
1
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （T ） ： D = T / T
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
第i （ CH-C ） [C / W]
o
10
-1
0.02
0.01
t
应用
开关稳压器
D=
T
t
T
10
-2
0
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
10
-3
最大额定值和特性
绝对最大额定值
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
500
A
I
D
±8
A
I
D（ PULS ]
±32
V
V
GS
±30
A
I
AR
*2
8
mJ
E
AS
*1
173
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
P
D
Ta=25
2.16
W
°C
Tc=25
35
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 4.98mH ， VCC = 50V * 2 Tch<150 ° C * 3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， VCC =
=
=
=
* 4 VDS < 500V
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
吨[秒]
等效电路示意
漏极（D ）
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 50V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
栅极（G ）
源极（S ）
10
0
10
-1
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
-2
10
-8
10
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250µA
V
GS
=0V
I
D
= 250µA
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V V
GS
=0V
V
DS
=400V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 4A V
GS
=10V
I
D
= 4A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=4A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
V
CC
=250V
I
D
=8A
V
GS
=10V
L = 4.98mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
分钟。
500
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.85
1130
150
6.0
21
14
36
9
30
13
8.5
1.50
单位
V
V
µA
nA
Ω
S
pF
t
AV
[秒]
3.5
10
0.65
7
750
100
4.0
14
9
24
6
20
8.5
5.5
1.00
0.65
3.5
ns
nC
8
富士電機株式会社
電子カンパニー パワー半導�½�事業部
〒 141-0032 東京�½品川区大崎一丁目 11 番２号（ゲートシティ大崎イーストタワー）
営業統括部 ℡ (03)5435-7152
関西支社 半導�½�営業部 (06)6455-6467
中部支社 半導�½�営業部 (052)234-4482
九州支社 半導�½�営業部 (092)731-7132
网址http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
A
V
µs
µC
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
3.57
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
