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2SK3520 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK3520
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内容描述: [2SK3520]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 104 K
品牌: FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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2SK3520-01MR
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
TO-220F
应用
开关稳压器
UPS (不间断电源)
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
(TC = 25 ° C除非另有说明)
符号
评级
单位
V
V
DS
500
A
I
D
±8
A
I
D( PULS ]
±32
V
V
GS
±30
A
I
AR
*2
8
mJ
E
AS
*1
173
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
P
D
Ta=25
2.16
W
°C
Tc=25
35
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< -I
D
, -di / DT = 50A / μs的, Vcc的< BV
DSS
,总胆固醇< 150℃
* 1 L = 4.98mH , VCC = 50V * 2总胆固醇<150 ° C * 3 I
F
=
=
=
=
* 4 VDS < 500V
=
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
等效电路示意
漏极(D )
栅极(G )
源极(S )
电气特性(T
c
= 25 ° C除非另有规定编)
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
(上)
t
r
td
(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250µA
V
GS
=0V
I
D
= 250µA
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V V
GS
=0V
V
DS
=400V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 4A V
GS
=10V
I
D
= 4A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=4A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=250V
I
D
=8A
V
GS
=10V
L = 4.98mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
10
0.65
7
750
100
4.0
14
9
24
6
20
8.5
5.5
1.00
0.65
3.5
分钟。
500
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.85
1130
150
6.0
21
14
36
9
30
13
8.5
1.50
单位
V
V
µA
nA
S
pF
3.5
ns
nC
8
A
V
µs
µC
Thermalcharacteristics
热阻
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
3.57
58.0
单位
° C / W
° C / W
1