2SK3674-01L,S,SJ
FUJI功率MOSFET
200304
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
P4
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX * 5
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR * 2
E
AS * 1
dV
DS
/ DT
*4
dv / dt的
*3
P
D
Ta=25°C
Tc=25°C
T
ch
T
英镑
评级
900
900
±7
±28
±30
7
269.5
40
5
1.67
225
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
°C
°C
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 10.1mH ， VCC = 90V ，总胆固醇= 25 ° C，看到雪崩能量图
＆ LT ;
＆ LT ;
*4 V
DS
< 900V
*3 I
F
＆ LT ;
D
， -di / DT = 50A / μs的， VCC = BV
DSS
，总胆固醇= 150℃
=-I
=
＆ LT ;
* 2总胆固醇= 150℃
*5 V
GS
=-30V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=250µA
V
GS
=0V
I
D
= 250µA
V
DS
=V
GS
V
DS
=900V V
GS
=0V
T
ch
=25°C
V
DS
=720V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
=3.5A
V
GS
=10V
I
D
= 3.5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 600V我
D
=3.5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
V
CC
=450V
I
D
=7A
V
GS
=10V
L = 10.1mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 7A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 7A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
900
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
2.00
单位
V
V
µA
nA
Ω
S
pF
4.1
1.54
8.2
920
1380
115
175
6.6
10
22
33
8.0
12
45
67.5
10.5
16
25
37.5
4
6
8.5
13
0.90
2.6
8.0
ns
nC
7
1.50
A
V
µs
µC
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.560
75.0
单位
° C / W
° C / W
1
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
