2SK3789-01R
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
200406
FUJI功率MOSFET
超级FAP -G系列
特点
高速开关
无二次breadown
雪崩型
低导通电阻
低驱动功率
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
UPS （不间断电源）
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
E
AS
E
AR
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
评级
150
150
92
±368
±30
92
1205.7
41
20
5
210
3.13
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
备注
V
GS
=-30V
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
注* 1
注* 2
注* 3
源极（S ）
注* 1 ：总胆固醇
＆ LT ;
150℃，重复和非重复性
=
注* 2 ： StartingTch = 25 ° C，I
AS
=37A,L=1.29mH,
V
CC
=48V,R
G
=50Ω
EAS受到最大通道温度
和avalanch电流。
看到了“雪崩能量”图
注* 3 ：重复评价：脉冲宽度有限的
最大信道的温度。
看到了“瞬态Theemal阻抗”
图表
*注4 ：我
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的，V
CC
< BV
DSS
， Tch< 150℃
=
=
=
KV / μs的V
DS
< 150V
=
KV / μs注* 4
Tc=25°C
W
Ta=25°C
°C
°C
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
SD
t
rr
Q
rr
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
I
D
= 250µA
V
GS
=0V
µA
I
D
= 250
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=150V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=120V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 46A V
GS
=10V
I
D
= 46A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MH
V
CC
= 48V我
D
=46A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
V
CC
=75V
I
D
=92A
V
GS
=10V
I
F
= 92A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 92A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
150
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
26
单位
V
V
µA
nA
mΩ
S
pF
12
21
24
3800
5400
530
795
35
52.5
40
60
112
168
56
84
30
45
80
120
30
45
25
38
1.20
1.50
250
2.0
ns
nC
V
ns
µC
Thermalcharacteristics
项
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd
分钟。
典型值。
马克斯。
0.595
40.0
单位
° C / W
° C / W
1
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
