正向电流与正向电压(典型值)。
芯片
1200
1000
1000
反向恢复特性(典型值)。
VCC = 600V , VGE = ± 15V , RG = 1.1Ω
Irr(125
o
C)
反向恢复电流: IRR [ A]
反向恢复时间: trr的[纳秒]
正向电流IF [ A]
Irr(25
o
C)
trr(125
o
C)
100
trr(25
o
C)
800
600
400
200
0
0
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
10
1
2
3
正向电压: VF [ V]
4
0
200
400
600
正向电流IF [ A]
800
[热敏电阻]
瞬态热阻抗(最大)
1.000
100.0
温度特性(典型值)。
热阻: Rth的(J -C )
o
C / W]
电阻值:R [ kΩ的]
1.000
0.100
FWD
IGBT
10.0
0.010
1.0
0.001
0.001
0.1
0.010
0.100
脉冲宽度:密码[秒]
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
温度
o
C ]
MS5F6020
12
14
a
H04-004-03a