IGBT模块
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
35
7MBR15SA120
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
35
TJ = 25℃ （典型值）。
15V
VGE = 20V
12V
o
TJ = 125℃ （典型值）。
15V
VGE = 20V
12V
o
30
30
25
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
25
20
10V
15
20
10V
15
10
10
5
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
5
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V （典型值）。
35
10
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25℃ （典型值）。
o
TJ = 25℃
30
o
TJ = 125℃
8
o
25
集电极电流IC [ A]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
6
20
15
4
IC = 30A
2
IC = 15A
IC = 7.5A
10
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
5
10
15
20
25
门 - 发射极电压VGE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25℃
5000
1000
o
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 15A ， TJ = 25℃
25
o
800
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ pF的]
资本投资者入境计划
1000
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
20
门 - 发射极电压VGE [ V]
600
15
500
400
10
卓越中心
100
CRES
200
5
50
0
5
10
15
20
25
30
35
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
50
100
栅极电荷：的Qg [ NC ]
0
150
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
