IGBT模块
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
60
VGE = 20V 15V
50
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
40
30
20
10
8V
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
5
0
0
1
2
12V
50
40
30
60
VGE=20V
7MBR35UA120
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
15V
12V
10V
10V
20
10
8V
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
60
50
集电极电流IC [ A]
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
Tj=25°C
Tj=125°C
10
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25゚C /片
8
6
4
Ic=50A
Ic=25A
IC = 12.5A
2
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
10.0
集电极 - 发射极电压VCE [ 200V / DIV ]
门 - 发射极电压VGE
[ 5V / DIV ]
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 35A ， TJ = 25°C
资本投资者入境计划
VGE
1.0
卓越中心
CRES
0.1
0
10
20
30
0
0
30
60
VCE
90
120
150
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
