FMV12N50E
超级FAP -E
3
系列
特点
保持了低功耗和低噪音
低ř
DS
（上）特性
通过栅极电阻的可控开关的dv / dt
小V
GS
切换过程中的波形振铃
栅极阈值电压的窄频带（3.0 ±0.5V ）
高雪崩耐用性
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220F(SLS)
等效电路示意
漏极（D ）
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
栅极（G ）
源极（S ）
最大额定值和特性
在Tc绝对最大额定值= 25°C （除非另有规定编）
描述
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复和不重复的最大雪崩电流
非重复性最大雪崩能量
重复的最大雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
峰值二极管恢复-di / dt的
最大功率耗散
工作和存储温度范围
隔离电压
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
DP
V
GS
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
-di / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
特征
500
500
±12
±48
±30
12
400
6.0
6.5
100
2.16
60
150
-55到+150
2
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
KV / μs的
A / μs的
W
°C
°C
kVRMS的
备注
V
GS
= -30V
Note*1
Note*2
Note*3
Note*4
Note*5
Ta=25°C
Tc=25°C
T = 60秒， F = 60Hz的
在Tc电气特性= 25°C （除非另有规定编）
描述
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
I
DSS
I
GSS
R
DS
（上）
g
fs
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
TRR
QRR
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
I
D
= 250μA ，V
DS
=V
GS
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
=400V, V
GS
=0V
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
I
D
= 6A ，V
GS
=10V
I
D
= 6A ，V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
cc
=300V
V
GS
=10V
I
D
=6A
R
G
=15Ω
V
cc
=300V
I
D
=12A
V
GS
=10V
L = 2.12mH ，总胆固醇= 25°C
I
F
= 12A ，V
GS
= 0V ，T
ch
=25°C
I
F
= 12A ，V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的，总胆固醇= 25°C
分钟。
500
2.5
-
-
-
-
6.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
-
-
-
典型值。
-
3.0
-
-
10
0.444
13
1600
160
11.5
20
9
100
18
47
10.5
14
-
0.88
0.36
4.1
马克斯。
-
3.5
25
250
100
0.52
-
2400
240
17.5
30
13.5
150
27
70.5
16
21
-
1.32
-
-
单位
V
V
µA
nA
Ω
S
pF
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
ns
nC
A
V
µs
µC
热特性
描述
热阻
符号
RTH （ CH-C ）
RTH （ CH -A ）
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2.083
58.0
单位
° C / W
° C / W
注* 1 ： Tch≤150 ℃，
注* 2 ：陈述总胆固醇= 25 ° C，I
AS
= 5A ， L = 29.2mH ， VCC = 50V ，R
G
=50Ω
E
AS
受到最大通道温度和雪崩电流。
看到“雪崩能量”图。
注* 3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。
看到了“瞬态Themal impeadance ”图。
*注4 ：我
F
≤-I
D
， -di / DT = 100A / μs的， Vcc≤BV
DSS
， Tch≤150 °以下。
注* 5 ：我
F
≤-I
D
，的dv / dt = 6.5KV /微秒， Vcc≤BV
DSS
， Tch≤150 °以下。
1
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
