YG862C15R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	YG862C15R
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内容描述：	高电压肖特基势垒二极管 [High Voltage Schottky barrier diode]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	3 页 / 70 K
品牌：	FUJI [ FUJI ELECTRIC ]

（ 150V / 10A ）

特征

正向特性（典型值）。

100

YG862C15R （10A）

反向特性（典型值）。

Tj=150°C

Tj=125°C

(A)

I F正向电流

反向电流

Tj=150°C

Tj=125°C

Tj=100°C

Tj=25°C

（MA ）

Tj=100°C

-1

-2

TJ = 25°C

0.1

0.0

-3

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

-4

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130140150160

正向电压

(V)

反向电压

(V)

前向功率耗散（最大）

反向功率耗散（最大）

360°

(W)

前向功率耗散

反向功率耗散

360°

方波

=60°

方波

=120°

正弦波

=180°

方波

=180°

每1element

100

120

140

160

平均正向电流

(A)

反向电压

(V)

电流降额（IO -TC）（最大）

160

1000

结电容特性（最大）

150

(°C)

140

130

正弦波

=180°

方波

=180°

方波

=120°

360°

VR=75V

120

结电容（pF ）

外壳温度

100

110

方波

=60°

100

1000

平均输出电流

(A)

：正向电流为每个整流元件导通角

反向电压（ V）

IO：中心抽头的全波连接的输出电流

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