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     RBR2MM60C是低VF的肖特基势垒二极管。
    二极管
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    GCD21BR72A123KA01#

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     R6504ENX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
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    GJM0335C1E4R6BB01#

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    NVBG020N090SC1

     Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 900V, M2, D2PAK−7L
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     TDA21490 专为服务器、存储、人工智能(AI) 和网络应用中使用的高性能 xPU、ASIC和SOC提供强健可靠的电压调节器(VR) 而设计。TDA21490 采用高热效封装的 OptiMOSTM 功率 MOSFETs，具有同类产品中最佳的效率。低静态电流驱动器可以启用深度睡眠模式，进一步提高轻载效率，还可以提供精准的电流感测，有助于大幅提升系统性能。
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    PSMN1R7-40YLD

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    暂无信息
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    GCM31CL81H105KA55#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GRM21BR71A105MA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    IPB018N06NF2S

     Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features low RDS(on) of 1.8 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
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    GQM2195C2E5R8WB12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FDY4000CZ

     互补，N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V
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