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JTDB75图片预览
型号: JTDB75
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内容描述: 高功率共基极双极型晶体管。 [High power COMMON BASE bipolar transistor.]
分类和应用: 晶体双极型晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 233 K
品牌: GHZTECH [ GHZ TECHNOLOGY ]
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JTDB 75
75瓦, 36伏特,脉冲
航电960 - 1215兆赫
概述
该JTDB 75是一款高功率共同的基础双极型晶体管。这是
设计用于脉冲系统中的频带960-1215兆赫。该
设备有金薄膜金属化和扩散镇流为证明
最高的平均无故障时间。该晶体管包括输入和输出预匹配为
宽带能力。低热阻封装降低结
温度,延长使用寿命。
案例外形
55AW ,风格1
绝对最大额定值
最大功率耗散@ 25
o
C
2
最大电压和电流
BVces集电极 - 基极电压
BVebo发射器基极电压
Ic
集电极电流
最高温度
储存温度
工作结温
220瓦
55伏
3.5伏特
8.0安培
- 65至+ 200
o
C
+ 200
o
C
电气特性@ 25
O
C
符号
Pg
η
c
VSWR
BVEBO
BVces
h
FE
特征
电源输出
电源输入
功率增益
收藏家EF网络效率
负载不匹配公差
测试条件
F = 960-1215兆赫
VCC = 36伏
PW = 10
微秒
DF = 40%
F = 1090 MHz的
IE = 30毫安
IC = 30毫安
IC = 25 mA时,的Vce = 5 V
75
15
7.0
7.5
40
3:1
典型值
最大
单位
dB
%
θ
jc
2
发射器基极击穿
集电极到发射极击穿
直流 - 电流增益
热阻
3.5
55
10
0.8
o
C / W
注1 :在额定输出功率和脉冲条件
2 :在额定脉冲条件
问题A , 1997年7月
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