全球混合模式技术有限公司
VDDQ
两个50kΩ的电压分压器之间的连接
VDDQ和地面，营造内部参考
电压（ VDDQ / 2）。这保证了V
TT
将跟踪
VDDQ / 2精确。的最佳实施
VDDQ是作为一个遥感。这可以实现
通过直接连接到VDDQ的2.5V轨（ SSTL - 2
应用程序）的DIMM ，而不是AVIN和PVIN 。
这将确保该基准电压跟踪
DDR内存的精确轨道没有大的电压
从电源线下降。
VSENSE
在V
SENSE
销是了选购的反馈感测销
关合作放大器，调节V
TT
电压。在
大多数主板的应用中，端接电阻
器将连接V
TT
在相当长的飞机。如果使用的是重
遥控感应针 - V
SENSE
到总线的中间，所述
导致终止显著长期跟踪IR降
电压，该电压低时比其它罐的一端
被避免。这将提供一个更好的分配
整个端接总线。如果远程负载
规不使用时，在V
SENSE
脚仍然必须
连接到V
TT
正确调节。应谨慎
拍摄时长V
SENSE
跟踪中实现
靠近存储器。在噪声拾取
V
SENSE
跟踪可能会导致问题的精确法规
V和灰
TT
。小型0.1μF的陶瓷电容放置
旁边的V
SENSE
针可以帮助过滤任何高频
昆西信号和防止错误的。
V
REF
V
REF
提供内部参考的缓冲输出
EnCE的电压（ VDDQ / 2）。它可以支持的参考
电压北桥芯片和内存。为了更好地
性能，使用输出旁路电容靠近
该引脚是噪音更有帮助。陶瓷钙
pacitor在0.1μF至0.01μF的范围是中建议
谁料。
V
TT
V
TT
是用来终止的稳压输出
DDR- SDRAM总线的电阻。它可以精确跟踪
在VDDQ / 2的电压与下沉和采购
电流的能力。该G2995旨在提供
1.5A连续电流和峰值电流可达3A
具有快速瞬态响应@ 2.5V电源轨。该
从V最大连续电流源
TT
是
功能PVIN的。使用较高PVIN将增加
从V电源电流
TT,
但它也增加了间
纳尔功耗和降低效率。 AL-
虽然G2995可以提供更大的电流，呵护
应采取的散热时lar-
蒙古包电流是必需的。该G2995打包带
电源垫，以增加功率耗散能力。
当驱动电流较大，较大的散热片，在
PCB强烈建议有更好的热敏
G2995
发作表现。第r
DS
MOS会增加时，
结温的升高。如果散热不
处理好，最大输出电流为
退化。当温度超过结
温，热关断保护被激
氧基团。这将带动V
TT
输出为三态，直到
下面的迟滞触发温度恢复
点。
电容器
在G2995不需要电容器输入
稳定性，但它被推荐用于改善
在大负载转换性能，以防止
从滴，特别是对于PVIN的输入电源轨。
输入电容为PVIN应尽可能靠近
可能。典型的推荐值为50μF的
铝电解电容， 10uF的与X5R为胶结
RAMIC电容。为了防止噪音过大cou-
耦入该装置中，一个额外的0.1μF的陶瓷钙
pacitor可以放置在AVIN功率轨对
更好的性能。
在G2995的输出电容，建议使用
电容与低ESR 。使用与电容
低ESR （如陶瓷， OS- CON电容，钽电容）会
较好的过渡表现是较小
时的峰值电流处出现的电压降
过渡。作为一般建议输出
电容应220μF以上的尺寸与低
ESR为SSTL应用的DDR -SDRAM 。
热扩
当电流下沉或从V采购
TT
,
在G2995会产生内部功耗
造成的热。应当小心，以防止
该设备从所造成的损害结温
perature超过最大额定值。马克西
妈妈允许内部温升（T
RMAX
）可以
可以根据给定的最大环境计算
温度（T
AMAX
）的应用程序和马克西的
妈妈允许结温（T
JMAX
).
T
RMAX
= T
JMAX
- T
AMAX
从这个等式中，最大功耗
(P
DMAX
）的G2995的可以这样计算：
P
DMAX
= T
RMAX
/θ
JA
θ
JA
在G2995的将取决于几个VARI-
冷杉：所使用的软件包的厚度和尺寸
的铜，通孔和所述气流的数量。在
封装， G2995采用SO- 8与Power -PAD来
改善
θ
JA
。如果印刷电路板的布局，可以把一个
较大尺寸的铜接触电的PAD此
装置中，所述
θ
JA
会得到进一步改善。更好
θ
JA
不仅保护装置，但是也increas-
在相同的雄心荷兰国际集团的最大电流能力
耳鼻喉科温度。
版本： 1.7
2005年5月10日
电话： 886-3-5788833
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8
GMT [ GLOBAL MIXED-MODE TECHNOLOGY INC ]
