全球混合模式技术有限公司
过电流保护
该G914X使用电流镜来监视输出
电流。在PMOS输出晶体管的一小部分
电流被镜像到一个电阻器，使得所述电压
该电阻是成比例的输出电流。
这个电压进行比较的1.25V基准。
一旦输出电流超过极限时，PMOS
输出晶体管截止。一旦输出晶体管
被关断，电流监测电压减小
到零，并且输出PMOS再次接通。如果
在目前的条件下坚持下去，过电流保护
化电路将被再次触发。因此，当输出
对地短路时，输出电流会交替
介于0和荷兰国际集团在电流限制。典型的
在G914X的电流限制设置为500mA的电流。记
这1μF的输入旁路电容必须在使用
这种情况下，过滤出所引起的输入电压尖峰
浪涌电流引起的电感效应
封装引脚和印制电路板的布线线。
否则，在IN引脚上的实际电压可能超过
绝对最大额定值。
过温保护
为了防止温度异常发生时，
G914X具有内置的温度监视电路。
当它检测到的温度高于150 ℃，则
输出晶体管截止。当IC被冷却
到低于135℃时，输出再次接通。在
这样一来， G914X将受到保护，免遭abnor-
操作过程中发作的结温。
关断模式
当
SHDN引脚连接一个逻辑低电压
在G914X进入关断模式。所有的模拟电路
cuits被完全关闭，从而降低了电流
租消耗只有漏电流。在输出
放从输入断开。当输出具有
无负载在所有时，输出电压会被排出到
地通过内部电阻分压器。
工作区和功耗
由于G914X是一个线性稳压器，其功率耗散
而不能使总是由P = I定
OUT
(V
IN
–
V
OUT
） 。该
最大功耗由下式给出：
G914X
该G914X的小片附着区
’
的主角框架
连接到管脚2，这是GND引脚。因此，
G914X的GND引脚可以带走的热量
G914X非常有效地死去。为了提高电源显示
sipation ，连接GND引脚通过一个大的接地
地平面附近的GND引脚。
应用信息
电容的选择和调节器的稳定性
通常情况下，使用1
µ
在输入和一个4.7 F的电容
µ
F
电容器上的G914X的输出。较大的输入钙
pacitor值和较低的ESR提供更好的支持
层噪声抑制和瞬态响应。一个higher-
值的输入电容（ 10
µ
F），可以是必要的，如果大，
快速瞬变预期和设备所在
几英寸从电源。对于稳定的操作
化在整个温度范围内，与负载电流
高达120mA ，最低为4.7
µ
F的建议。
从电源抑制和操作
来源除电池
该G914X旨在提供低压差电压
而在电池电量低静态电流供电系
TEMS 。电源抑制比为70db ，在低音频率
CIES随着频率的增加20kHz以上;该
输出电容是主要贡献者rejec-
化电源噪声。
当从源不使用电池工作时，
提高电源噪声抑制和瞬态响应
通过增加输入和输出的值钙
pacitors ，以及使用无源滤波技术。
负载瞬态注意事项
该G914X负载瞬态响应图显示了两个
输出的响应的组件：的直流偏移
引起的输出电压的不同的负载电流，并
的瞬态响应。典型的超调步
变化从0毫安负载电流为100mA是
12mV 。增加输出电容器
’
价值和
降低其ESR衰减的瞬态尖峰。
输入输出（降）电压
一个稳压器
’
s最小输入输出电压差
（或压差）确定的最低可用
电源电压。在电池供电的系统，这将
确定报废的有用的电池电压。如下─
导致G914X使用P沟道MOSFET
晶体管，其压差电压为R的函数
DS （ ON）
乘以负载电流引起的G914X使用
P沟道MOSFET导通晶体管，它们的差
电压是R的函数
DS （ ON）
乘负载
电流。
P
DMAX
= (T
J
–
T
A
)/
θ
JA
= （ 150-25 ） / 240 =为520mW
其中， （T
J
–
T
A
）为所述温度差的
G914X模具和周围空气，
θ
JA
，是热
选择的包到环境空气的阻力。
表面贴装器件，散热是accom-
通过使用热扩散的能力plished
PC板和铜线。中的一个的情况下
SOT-23-5封装，热电阻通常
240
°
C /瓦。 （见推荐的最低足迹） 。
请参考图2的G914X有效操作区域
（安全工作区）， &参见图3是最大
SOT- 23-5的功耗。
版本： 1.8
2007年7月24日
电话： 886-3-5788833
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9
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