GFC150 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GFC150
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内容描述：	N沟道功率MOSFET具有极低的RDS（on ） [N Channel Power MOSFET with extremely low RDS(ON)]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 108 K
品牌：	GSG [ GUNTER SENICONDUCTOR GMBH. ]

冈特半导体有限公司

芯片的特定网络阳离子

概述：

*先进的工艺技术

*动态的dv / dt额定值

* 175 ℃工作温度

℃

*快速切换

*全额定雪崩

*非常低R

DS （ ON）

机械数据：

D27

6.53毫米x6.53mm

维

400

厚度：

金属化：

上图：

CrNiAg /金

背面：

建议粘合条件：

模具安装方式：

焊锡执行

95/5铅锡或92.5 / 2.5 / 5 PbAgIn

20万铝

源极连接线：

绝对最大额定值

特征

漏极至源极击穿电压

静态漏 - 源极导通电阻

连续漏极电流（在目标包）

工作结

储存温度

@Ta=25℃

℃

GFC150

N沟道功率MOSFET具有非常低R

DS （ ON）

符号

V（ BR ） DSS

RDS （ ON）

ID@25℃

ID@100℃

极限

单位

测试条件

VGS = 0V ，ID = 250μΑ

VGS = 10V ，ID = 25Α

VGS=10V

100

0.055

-55~175

Ω

℃

STR

目标设备： IRFP150

TO-247AC

230

@Tc=25℃

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