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GFC244 参数 Datasheet PDF下载

GFC244图片预览
型号: GFC244
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内容描述: N沟道功率MOSFET具有极低的RDS(on ) [N Channel Power MOSFET with extremely low RDS(on)]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 97 K
品牌: GSG [ GUNTER SENICONDUCTOR GMBH. ]
   
冈特半导体有限公司
芯片的特定网络阳离子
概述:
*先进的工艺技术
*动态的dv / dt额定值
* 175 ℃工作温度
*快速切换
*全额定雪崩
*非常低R
DS ( ON)
机械数据:
D21
4.11毫米X 5.56毫米
400
µ
m
厚度:
金属化:
Al
上图:
:
CrNiAg /金
背面:
建议粘合条件:
模具安装方式:
焊锡执行
95/5铅锡或92.5 / 2.5 / 5 PbAgIn
源极连接线:
15密耳的铝
绝对最大额定值
特征
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
连续漏极电流(在目标包)
连续漏极电流(在目标包)
工作结
储存温度
@Ta=25℃
GFC240
N沟道功率MOSFET具有非常低R
DS ( ON)
符号
V( BR ) DSS
RDS ( ON)
ID@25℃
ID@100℃
Tj
极限
单位
测试条件
VGS = 0V ,ID = 250μΑ
VGS = 10V ,ID = 9Α
VGS=10V
VGS=10V
200
0.18
18
11.4
-55~175
-55~175
V
A
A
T
STR
目标设备: IRF640
TO-220AB
P
D
139
W
@Tc=25℃