GFC340 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GFC340
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内容描述：	N沟道功率MOSFET具有低RDS （ ON） [N Channel Power MOSFET with low RDS(on)]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 97 K
品牌：	GSG [ GUNTER SENICONDUCTOR GMBH. ]

冈特半导体有限公司

N沟道功率MOSFET，低R

DS （ ON）

GFC340

芯片的特定网络阳离子

概述：

*先进的工艺技术

*动态的dv / dt额定值

* 150 ℃工作温度

℃

*快速切换

*全额定雪崩

*低字节R

DS （ ON）

机械数据：

D22

维

4.32毫米X 5.76毫米

厚度：

400

金属化：

上图：

背面：

CrNiAg /金

建议粘合条件：

模具安装方式：

焊锡执行

95/5铅锡或92.5 / 2.5 / 5 PbAgIn

源极连接线：

12万铝

绝对最大额定值

特征

漏极至源极击穿电压

静态漏 - 源极导通电阻

连续漏极电流（在目标包）

工作结

储存温度

@Ta=25℃

℃

符号

V（ BR ） DSS

RDS （ ON）

ID@25

℃

ID@100

℃

极限

单位

测试条件

VGS = 0V ，ID = 250

µΑ

VGS = 10V ，ID = 5

VGS=10V

400

0.55

6.3

-55~175

Ω

℃

STR

目标设备： IRF740

TO-220AB

1.34

@Tc=25℃

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